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FDS6930B
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.031 ohm
已停产
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS6930B
库存编号2453422RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续5.5A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.031ohm
连续漏极电流 Id N沟道5.5A
连续漏极电流 Id P沟道5.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.031ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.031ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1.9V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
FDS6930B 的替代之选
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产品概述
The FDS6930B is a dual N-channel Logic Level MOSFET produced using advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- Junction and storage temperature range from -55 to 150°C
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
5.5A
在电阻RDS（上）
0.031ohm
连续漏极电流 Id P沟道
5.5A
漏源通态电阻N沟道
0.031ohm
漏源导通电阻P沟道
0.031ohm
阈值栅源电压最大值
1.9V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
5.5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002268