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FDS6975.
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 6 A
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS6975.
库存编号9844902RL
技术数据表
通道类型P通道
晶体管极性P沟道
漏源电压Vds N沟道-
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续6A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道-
在电阻RDS（上）0.025ohm
连续漏极电流 Id P沟道6A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道0.025ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd2W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDS6975 是一款双P沟道逻辑电平MOSFET, 采用高级PowerTrench® 工艺制造。该器件最大程度地降低导通状态电阻, 并保持低栅极电荷, 提供出色的开关性能。适用于笔记本电脑应用的负载开关, 电池充电电路, DC-DC转换等。
- 低门电荷
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 高功率, 高电流处理能力
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
-
电流, Id 连续
6A
连续漏极电流 Id N沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
-
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.025ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.025ohm
阈值栅源电压最大值
1.7V
功耗 Pd
2W
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000462