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FDS89161LZ
双路场效应管, MOSFET, N沟道+肖特基, 100 V, 100 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.105 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS89161LZ
库存编号2825190
技术数据表
通道类型N沟道+肖特基
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道2.7A
连续漏极电流 Id P沟道2.7A
漏源通态电阻N沟道0.105ohm
漏源导通电阻P沟道0.105ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.6W
耗散功率P沟道1.6W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N沟道+肖特基
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
2.7A
漏源导通电阻P沟道
0.105ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.6W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
2.7A
漏源通态电阻N沟道
0.105ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004