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FDS8958B
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.021 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS8958B
库存编号2454159RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续6.4A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.021ohm
连续漏极电流 Id N沟道6.4A
连续漏极电流 Id P沟道6.4A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.021ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.021ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值2V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
The FDS8958B is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. The device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. It is suitable for use with DC-to-DC converter, BLU and motor drive inverter applications.
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
6.4A
在电阻RDS（上）
0.021ohm
连续漏极电流 Id P沟道
6.4A
漏源通态电阻N沟道
0.021ohm
漏源导通电阻P沟道
0.021ohm
阈值栅源电压最大值
2V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
6.4A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000187