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FDS9945
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS9945
库存编号1700660RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续3.5A
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道3.5A
在电阻RDS（上）0.1ohm
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.1ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值2.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDS9945 is a PowerTrench® dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It offers faster switching and lower gate charge than other MOSFET with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
- Low gate charge
- Very fast switching
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
3.5A
连续漏极电流 Id N沟道
3.5A
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.1ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
-
在电阻RDS（上）
0.1ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
175°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000215