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FDY1002PZ
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm
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| 100+ | CNY2.670 (CNY3.0171) |
| 500+ | CNY2.040 (CNY2.3052) |
| 1000+ | CNY1.700 (CNY1.921) |
| 5000+ | CNY1.410 (CNY1.5933) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDY1002PZ
库存编号2822541
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道830mA
连续漏极电流 Id P沟道830mA
漏源通态电阻N沟道0.28ohm
漏源导通电阻P沟道0.28ohm
晶体管封装类型SC-89
针脚数6引脚
耗散功率N沟道625mW
耗散功率P沟道625mW
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
830mA
漏源导通电阻P沟道
0.28ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
625mW
产品范围
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
830mA
漏源通态电阻N沟道
0.28ohm
晶体管封装类型
SC-89
耗散功率N沟道
625mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00007