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FGA40N65SMD
IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 650 V, TO-3PN, 3 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY38.120 (CNY43.0756) |
| 10+ | CNY20.860 (CNY23.5718) |
| 100+ | CNY17.420 (CNY19.6846) |
| 500+ | CNY17.060 (CNY19.2778) |
| 1000+ | CNY16.690 (CNY18.8597) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FGA40N65SMD
库存编号3368676
技术数据表
连续集电极电流80A
集电极-发射极饱和电压1.9V
功率耗散349W
最大集电极发射电压650V
晶体管封装类型TO-3PN
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
晶体管安装通孔
产品范围-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
连续集电极电流
80A
功率耗散
349W
晶体管封装类型
TO-3PN
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
集电极-发射极饱和电压
1.9V
最大集电极发射电压
650V
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.007802