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FGH75T65SQDNL4
IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 引脚
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|---|---|
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| 5+ | CNY55.400 (CNY62.602) |
| 10+ | CNY45.220 (CNY51.0986) |
| 50+ | CNY42.750 (CNY48.3075) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FGH75T65SQDNL4
库存编号2981092
技术数据表
连续集电极电流200A
集电极-发射极饱和电压1.43V
功率耗散375W
最大集电极发射电压650V
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
晶体管安装通孔
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
连续集电极电流
200A
功率耗散
375W
晶体管封装类型
TO-247
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
集电极-发射极饱和电压
1.43V
最大集电极发射电压
650V
针脚数
4引脚
晶体管安装
通孔
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00542