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产品概述
The FOD817 Series consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a 4-pin dual inline package.
技术规格
通道数
1通道
针脚数
4引脚
隔离电压
5kV
集电极发射电压, Vceo
70V
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
光电耦合器封装类型
DIP
正向电流 If 最大值
50mA
电流转换率 最小
80%
产品范围
FOD817
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0004