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FQB27P06TM
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FQB27P06TM
库存编号1611477RL
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续27A
漏源接通状态电阻0.07ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散120W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FQB27P06TM is a -60V P-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Low gate charge
- 100% avalanche tested
- 175°C rated junction temperature
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
27A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
120W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.07ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002055