HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A 是一款 N 沟道非穿通 (NPT) IGBT，非常适合 UPS 和太阳能逆变器等许多工作频率中等、传导损耗小的高压开关应用。它是 MOS 门控高压开关 IGBT 系列的新成员。它结合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。该器件具有 MOSFET 的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。

• 短路额定
• 雪崩评级
• 2.5V @ IC = 1A 低饱和电压
• 258ns 下降时间 @ TJ = 150°C
• 298W 总功率耗散 @ TC = 25°C

警告

该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。