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KSC5026MOS
单晶体管 双极, NPN, 800 V, 1.5 A, 20 W, TO-126, 通孔
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|---|---|
| 1+ | CNY10.020 (CNY11.3226) |
| 10+ | CNY6.350 (CNY7.1755) |
| 100+ | CNY4.230 (CNY4.7799) |
| 500+ | CNY3.320 (CNY3.7516) |
| 1000+ | CNY3.020 (CNY3.4126) |
| 5000+ | CNY2.720 (CNY3.0736) |
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最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号KSC5026MOS
库存编号2825105
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压800V
连续集电极电流1.5A
功率耗散20W
晶体管封装类型TO-126
晶体管安装通孔
针脚数3引脚
过渡频率15MHz
直流电流增益, Hfe 最小值20hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
- NPN silicon transistor
- High voltage and high reliability
- High speed switching
- Wide SOA
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
1.5A
晶体管封装类型
TO-126
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
20hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
800V
功率耗散
20W
晶体管安装
通孔
过渡频率
15MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000861