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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MBT3946DW1T1G
库存编号1459079
产品范围MJxxxx Series
技术数据表
晶体管极性互补式NPN和PNP
集电极发射极电压最大值NPN40V
集电极发射极电压最大值 PNP40V
连续集电极电流NPN200mA
连续集电极电流NPN200mA
耗散功率NPN150mW
耗散功率PNP150mW
直流电流增益hFE最小值NPN250hFE
直流电流增益hFE最小值PNP250hFE
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN300MHz
转换频率NPN250MHz
产品范围MJxxxx Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The MBT3946DW1T1G is a NPN-PNP complementary Bipolar Transistor Array housed in a surface-mount package designed for general purpose amplifier applications. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface-mount applications where board space is at a premium.
- 100 to 300 hFE
- ≤0.4V Low VCE(sat)
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
技术规格
晶体管极性
互补式NPN和PNP
集电极发射极电压最大值 PNP
40V
连续集电极电流NPN
200mA
耗散功率PNP
150mW
直流电流增益hFE最小值PNP
250hFE
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
250MHz
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
集电极发射极电压最大值NPN
40V
连续集电极电流NPN
200mA
耗散功率NPN
150mW
直流电流增益hFE最小值NPN
250hFE
晶体管封装类型
SOT-363
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
300MHz
产品范围
MJxxxx Series
MSL
MSL 1 -无限制
MBT3946DW1T1G 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.1