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MJ11015G
林顿晶体管, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 引脚
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MJ11015G
库存编号9556575
技术数据表
晶体管极性PNP
集电极发射电压, Vceo120V
功耗 Pd200W
集电极直流电流30A
射频晶体管封装TO-3
针脚数2引脚
直流电流增益, hFE1000hFE
晶体管安装通孔
工作温度最高值200°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The MJ11015G from On Semiconductor is a through hole, 30A, 120V PNP darlington bipolar power transistor in TO-204AA(TO-3) package. Features high DC current gain and monolithic construction with built-in base emitter shunt resistor. It functions as an output device in complementary general purpose amplifier applications.
- Collector to emitter voltage (Vce) of -120V
- Collector current (Ic) of -30A
- Power dissipation of 200W
- Operating junction temperature range from -55°C to 200°C
- Collector emitter breakdown Voltage of -120V
- Collector emitter saturation voltage of -3V at 20A collector current
技术规格
晶体管极性
PNP
功耗 Pd
200W
射频晶体管封装
TO-3
直流电流增益, hFE
1000hFE
工作温度最高值
200°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
120V
集电极直流电流
30A
针脚数
2引脚
晶体管安装
通孔
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.011793