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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MJ21194G
库存编号9556605
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压250V
连续集电极电流16A
功率耗散250W
晶体管封装类型TO-3
晶体管安装通孔
针脚数2引脚
过渡频率4MHz
直流电流增益, Hfe 最小值8hFE
工作温度最高值200°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The MJ21194G is a 250V Silicon NPN Bipolar Power Transistor that utilizes perforated emitter technology and is specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.
- Total harmonic distortion characterized
- High DC current gain
- Excellent gain linearity
- High SOA
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
16A
晶体管封装类型
TO-3
针脚数
2引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
8hFE
产品范围
-
MSL
-
最大集电极发射电压
250V
功率耗散
250W
晶体管安装
通孔
过渡频率
4MHz
工作温度最高值
200°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.01202