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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MJD45H11G
库存编号9557814
技术数据表
晶体管极性PNP
最大集电极发射电压80V
连续集电极电流8A
功率耗散20W
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率90MHz
直流电流增益hFE最小值60hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSL-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The MJD45H11G is a 8A PNP bipolar Power Transistor designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
- Electrically similar to popular D44H/D45H series
- Fast switching speeds
- Complementary pairs simplifies designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
8A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
针脚数
3引脚
直流电流增益hFE最小值
60hFE
产品范围
-
MSL
-
最大集电极发射电压
80V
功率耗散
20W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
90MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000587