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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MJE13007G
库存编号9557857
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压400V
连续集电极电流8A
功率耗散80W
晶体管封装类型TO-220
晶体管安装通孔
针脚数3引脚
过渡频率14MHz
直流电流增益hFE最小值4hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The MJE13007G is a Silicon NPN Bipolar Power Transistor designed for high voltage and high speed power switching inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for 115 and 220V switch mode applications such as switching regulators, inverters, motor controls, solenoid/relay drivers and deflection circuits.
- SOA and switching applications
- Collector-base voltage (Vcbo = 700V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 9V)
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
8A
晶体管封装类型
TO-220
针脚数
3引脚
直流电流增益hFE最小值
4hFE
产品范围
-
MSL
-
最大集电极发射电压
400V
功率耗散
80W
晶体管安装
通孔
过渡频率
14MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.002041