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MJE182G
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, 通孔
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MJE182G
库存编号2535633
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压80V
连续集电极电流3A
功率耗散1.5W
晶体管封装类型TO-225
晶体管安装通孔
针脚数3引脚
过渡频率50MHz
直流电流增益, Hfe 最小值12hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The MJE182G is a 80V NPN complementary plastic silicon Bipolar Transistor designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching applications. The MJE172 (PNP) and MJE182 (NPN) are complementary devices.
- High DC current gain
- High current-gain - bandwidth
- Annular construction for low leakages
- Epoxy meets UL94V-0 flammability rating
- 100VDC Collector to base voltage (VCBO)
- 7V Emitter to base voltage (VEBO)
- 6A Peak collector current
- 1ADC Base current (IB)
- 10°C/W Thermal resistance, junction to case
- 83.4°C/W Thermal resistance, junction to ambient
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
3A
晶体管封装类型
TO-225
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
12hFE
产品范围
-
MSL
-
最大集电极发射电压
80V
功率耗散
1.5W
晶体管安装
通孔
过渡频率
50MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000726