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MJE3055TG
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, 通孔
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| 10+ | CNY4.810 (CNY5.4353) |
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| 500+ | CNY3.920 (CNY4.4296) |
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| 5000+ | CNY3.330 (CNY3.7629) |
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产品概述
The MJE3055TG is a 60V NPN complementary plastic silicon Bipolar Transistor designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. The MJE2955T (PNP) and MJE3055T (NPN) are complementary devices.
- DC current gain specified to 10A
- High current gain - bandwidth
- 70VDC Collector to base voltage (VCBO)
- 5V Emitter to base voltage (VEBO)
- 6ADC Base current (IB)
- 1.67°C/W Thermal resistance, junction to case
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
10A
晶体管封装类型
TO-220
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
5hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
最大集电极发射电压
60V
功率耗散
75W
晶体管安装
通孔
过渡频率
2MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002808