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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MJH11020G
库存编号2101382
技术数据表
晶体管极性NPN
集电极发射电压, Vceo200V
功耗 Pd150W
集电极直流电流15A
射频晶体管封装TO-247
针脚数3引脚
直流电流增益, hFE400hFE
晶体管安装通孔
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The MJH11020G is a 200V Silicon NPN Bipolar Complementary Darlington Power Transistor designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. The transistor has monolithic construction.
- High DC current gain
- Low collector emitter saturation voltage
- Collector-emitter sustaining voltage(Vce (sus) = 200VDC minimum)
技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
150W
射频晶体管封装
TO-247
直流电流增益, hFE
400hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
200V
集电极直流电流
15A
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.004083