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MMBFJ309LT1G
晶体管, JFET, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3引脚, 150 °C
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMBFJ309LT1G
库存编号1431339
技术数据表
栅源击穿电压最大值-25V
零闸电压漏极电流最大值30mA
栅极源极截断电压最大值-4V
晶体管封装类型SOT-23
引脚数3引脚
工作温度最高值150°C
通道类型N通道
晶体管安装表面安装
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
MMBFJ309LT1G是一款N沟道JFET，设计用于高频放大器和振荡器。该器件提供可互换的漏极和源极，节省空间的表面安装封装。低RDS（ON）提供了更高的效率，延长了电池寿命。
- 25VDC 漏源-极源电压
- 25VDC 栅源电压
- 10mA 栅极电流
技术规格
栅源击穿电压最大值
-25V
栅极源极截断电压最大值
-4V
引脚数
3引脚
通道类型
N通道
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
零闸电压漏极电流最大值
30mA
晶体管封装类型
SOT-23
工作温度最高值
150°C
晶体管安装
表面安装
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001058