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MMBT2369ALT1G
单晶体管 双极, NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, 表面安装
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|---|---|
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| 50+ | CNY0.618 (CNY0.6983) |
| 100+ | CNY0.517 (CNY0.5842) |
| 500+ | CNY0.323 (CNY0.365) |
| 1500+ | CNY0.317 (CNY0.3582) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMBT2369ALT1G
库存编号1653624
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压15V
连续集电极电流200mA
功率耗散300mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率-
直流电流增益, Hfe 最小值40hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The MMBT2369ALT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose switching applications and is housed in the surface-mount package. This device is ideal for low-power surface-mount applications.
- Halogen-free
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
200mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
40hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
15V
功率耗散
300mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
-
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.08