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MMBT4401LT3G
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY0.583 (CNY0.6588) |
| 100+ | CNY0.374 (CNY0.4226) |
| 500+ | CNY0.270 (CNY0.3051) |
| 1000+ | CNY0.180 (CNY0.2034) |
| 5000+ | CNY0.158 (CNY0.1785) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMBT4401LT3G
库存编号2317550
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压40V
连续集电极电流600mA
功率耗散225mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率250MHz
直流电流增益, Hfe 最小值20hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
MMBT4401LT3G is a NPN silicon, switching transistor.
- Collector-emitter breakdown voltage is 40VDC min (TA = 25°C, IC = 1.0mAdc, IB = 0)
- Collector-base breakdown voltage is 60VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Emitter-base breakdown voltage is 6.0VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Collector current - continuous is 600mAdc max (TA = 25°C)
- Collector current - peak is 900mAdc max (TA = 25°C)
- Total Device Dissipation FR-5 Board is 225mW max (TA = 25°C)
- Thermal resistance junction-to-ambient is 556°C/W max (TA = 25°C)
- Cutoff frequency is 100mHz min (IC = -100mA, VCE = -5.0V, f = 100MHz, TA = 25°C)
- SOT-23 package
- Junction temperature range from -55 to +150°C
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
600mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
20hFE
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
40V
功率耗散
225mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
250MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
MMBT4401LT3G 的替代之选
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033