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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMBT5087LT1G
库存编号2317859
技术数据表
晶体管极性PNP
最大集电极发射电压50V
连续集电极电流50mA
功率耗散225mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率40MHz
直流电流增益, Hfe 最小值250hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
The MMBT5087LT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for high gain and low noise general purpose amplifier applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Saves board space
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
50mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
250hFE
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
50V
功率耗散
225mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
40MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
MMBT5087LT1G 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000031