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MMBT5550LT1G
单晶体管 双极, 通用, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.154 (CNY0.174) |
| 9000+ | CNY0.148 (CNY0.1672) |
| 24000+ | CNY0.142 (CNY0.1605) |
| 45000+ | CNY0.119 (CNY0.1345) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMBT5550LT1G
库存编号2441376
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压140V
连续集电极电流600mA
功率耗散225mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率-
直流电流增益, Hfe 最小值250hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
MMBT5550LT1G 是一款NPN高压双极晶体管, 设计用于通用开关应用. 该器件专为低功耗表面安装应用而设计.
- 节省电路板空间
- 符合AEC-Q101标准, PPAP
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
600mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
250hFE
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
140V
功率耗散
225mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
-
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001