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MMBT5551LT1G
单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMBT5551LT1G
库存编号2317831
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压160V
连续集电极电流600mA
功率耗散225mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率-
直流电流增益hFE最小值30hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The MMBT5551LT1G is a NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.
- Halogen-free
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
600mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益hFE最小值
30hFE
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
160V
功率耗散
225mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
-
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033