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MMBT589LT1G
单晶体管 双极, 低 VCE（静态）, PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMBT589LT1G
库存编号2464091RL
技术数据表
晶体管极性PNP
最大集电极发射电压30V
连续集电极电流1A
功率耗散310mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率100MHz
直流电流增益, Hfe 最小值40hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
MMBT589LT1G is a high current surface mount PNP silicon switching transistor for load management in portable applications.
- Collector-emitter voltage is -30VDC max (TA = 25°C)
- Collector-base voltage is -50VDC max (TA = 25°C)
- Emitter-base voltage is -5.0VDC max (TA = 25°C)
- Collector current - continuous is -1.0ADC max (TA = 25°C)
- Collector current - peak is -2.0A max (TA = 25°C)
- Total Device Dissipation FR-5 Board is 310mW max (TA = 25°C)
- Thermal resistance junction-to-ambient is 403°C/W max (TA = 25°C)
- Cutoff frequency is 100mHz min (IC = -100mA, VCE = -5.0V, f = 100MHz, TA = 25°C)
- SOT-23 package
- Junction temperature range from -55 to +150°C
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
1A
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
40hFE
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
30V
功率耗散
310mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
100MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001