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产品概述
MMBZ系列双共阳极瞬态电压抑制器齐纳二极管, 设计用于需要瞬态过压保护功能的应用。适用于电压和ESD敏感型设备, 例如计算机, 打印机, 商用机器, 通信系统, 医疗设备和其他应用。非常适合电路板空间有限的应用。
- 3至26V工作峰值反向电压范围
- 5.6至33V标准齐纳击穿电压范围
- 24或40W峰值功率 @ 1ms (单向)
- 符合人体模型ESD Class 3B标准 (<gt/> 16kV)
- ESD Class C (<gt/>400V) 符合机器模型
- 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流
- <lt/> 5µA 泄漏
- 工作温度范围: -55至150°C
技术规格
产品范围
MMBZ
反向关断电压
26V
二极管封装类型
SOT-23
最小击穿电压
31.35V
峰值脉冲功率耗散
40W
二极管安装
表面安装
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
TVS极性
单向
最大钳位电压
46V
针脚数
3引脚
最大击穿电压
34.65V
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
MMBZ33VALT1G 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000008