打印页面
MMUN2131LT1G
晶体管 双极预偏置/数字, 单个PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
6,911 有货
需要更多？
6911 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.060 (CNY1.1978) |
| 10+ | CNY0.671 (CNY0.7582) |
| 100+ | CNY0.419 (CNY0.4735) |
| 500+ | CNY0.197 (CNY0.2226) |
| 3000+ | CNY0.140 (CNY0.1582) |
| 9000+ | CNY0.127 (CNY0.1435) |
| 24000+ | CNY0.114 (CNY0.1288) |
| 45000+ | CNY0.112 (CNY0.1266) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY5.30 (CNY5.99 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMUN2131LT1G
库存编号2727988
技术数据表
晶体管极性单个PNP
数字晶体管极性单路PNP
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极连续电流100mA
集电极发射极电压最大值 PNP50V
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R12.2kohm
基极-发射极电阻R22.2kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
晶体管封装类型SOT-23
射频晶体管封装SOT-23
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散400mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值8hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
单个PNP
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
2.2kohm
晶体管封装类型
SOT-23
引脚数
3引脚
功率耗散
400mW
直流电流增益, Hfe 最小值
8hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
单路PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
基极输入电阻 R1
2.2kohm
电阻比 R1/R2
1电阻比率
射频晶体管封装
SOT-23
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
MMUN2131LT1G 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002