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25+ | CNY4.440 (CNY5.0172) |
50+ | CNY4.320 (CNY4.8816) |
100+ | CNY4.200 (CNY4.746) |
500+ | CNY3.540 (CNY4.0002) |
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产品概述
<bold>MOC8204M</bold> are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.
- High Voltage - BVceo = 400V
警告
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技术规格
通道数
1通道
针脚数
6引脚
隔离电压
4.17kV
集电极发射电压, Vceo
400V
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
光电耦合器封装类型
DIP
正向电流 If 最大值
80mA
电流转换率 最小
20%
产品范围
4N38M, H11D1M, H11D3M, MOC8204M
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0004