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MUN2214T1G
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单个NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MUN2214T1G
库存编号2317629RL
技术数据表
数字晶体管极性单路NPN
晶体管极性单个NPN
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射极电压最大值 PNP-
集电极连续电流100mA
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
基极-发射极电阻R247kohm
电阻比 R1/R24.7电阻比率
晶体管封装类型SC-59
射频晶体管封装SC-59
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散338mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益hFE最小值80hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
MUN2214T1G 是一款PNP数字晶体管, 设计用于替代单器件及外部电阻偏置阵列。偏置电阻晶体管 (BRT)包含1个晶体管和偏置阵列, 由2个电阻器, 1个串联基极电阻器, 和1个基极发射极电阻器组成。BRT将它们集成到单体设备上。
- 简化电路设计
- 减少电路板占用空间
- 减少组件数量
技术规格
数字晶体管极性
单路NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
47kohm
晶体管封装类型
SC-59
引脚数
3引脚
功率耗散
338mW
直流电流增益hFE最小值
80hFE
合规
-
MSL
-
晶体管极性
单个NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极连续电流
100mA
基极输入电阻 R1
10kohm
电阻比 R1/R2
4.7电阻比率
射频晶体管封装
SC-59
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
MUN2214T1G 的替代之选
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000032