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MUN5230DW1T1G
晶体管 双极预偏置/数字, 双NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.630 (CNY1.8419) |
| 10+ | CNY0.963 (CNY1.0882) |
| 100+ | CNY0.640 (CNY0.7232) |
| 500+ | CNY0.449 (CNY0.5074) |
| 3000+ | CNY0.317 (CNY0.3582) |
| 9000+ | CNY0.258 (CNY0.2915) |
| 24000+ | CNY0.251 (CNY0.2836) |
| 45000+ | CNY0.244 (CNY0.2757) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MUN5230DW1T1G
库存编号2535585
技术数据表
晶体管极性双NPN
数字晶体管极性双路 NPN
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射极电压最大值 PNP-
集电极连续电流100mA
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R11kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
基极-发射极电阻R21kohm
晶体管封装类型SOT-363
射频晶体管封装SOT-363
引脚数6引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散385mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值3hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流
100mA
电阻比 R1/R2
1电阻比率
晶体管封装类型
SOT-363
引脚数
6引脚
功率耗散
385mW
直流电流增益, Hfe 最小值
3hFE
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
双路 NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极连续电流
100mA
基极输入电阻 R1
1kohm
基极-发射极电阻R2
1kohm
射频晶体管封装
SOT-363
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000016