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MUN5232DW1T1G
晶体管 双极预偏置/数字, 双NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
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| 100+ | CNY0.695 (CNY0.7854) |
| 500+ | CNY0.419 (CNY0.4735) |
| 3000+ | CNY0.372 (CNY0.4204) |
| 9000+ | CNY0.324 (CNY0.3661) |
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| 45000+ | CNY0.229 (CNY0.2588) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MUN5232DW1T1G
库存编号2630311
技术数据表
数字晶体管极性双路 NPN
晶体管极性双NPN
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射电压, Vceo50V
集电极连续电流100mA
集电极发射极电压最大值 PNP-
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R14.7kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
基极-发射极电阻R24.7kohm
射频晶体管封装SOT-363
晶体管封装类型SOT-363
引脚数6引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散385mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值15hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
数字晶体管极性
双路 NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极连续电流
100mA
连续集电极电流
100mA
电阻比 R1/R2
1电阻比率
射频晶体管封装
SOT-363
引脚数
6引脚
功率耗散
385mW
直流电流增益, Hfe 最小值
15hFE
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
晶体管极性
双NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
基极输入电阻 R1
4.7kohm
基极-发射极电阻R2
4.7kohm
晶体管封装类型
SOT-363
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
MUN5232DW1T1G 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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产品合规证书
重量（千克）：.00004