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MUN5235T1G
晶体管 双极预偏置/数字, 单个NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
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| 100+ | CNY0.263 (CNY0.2972) |
| 500+ | CNY0.251 (CNY0.2836) |
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| 9000+ | CNY0.150 (CNY0.1695) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MUN5235T1G
库存编号2535587
技术数据表
数字晶体管极性单路NPN
晶体管极性单个NPN
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值 PNP-
集电极连续电流100mA
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R12.2kohm
电阻比 R1/R20.47电阻比率
基极-发射极电阻R24.7kohm
晶体管封装类型SOT-323
射频晶体管封装SOT-323
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散310mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值80hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
数字晶体管极性
单路NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流
100mA
电阻比 R1/R2
0.47电阻比率
晶体管封装类型
SOT-323
引脚数
3引脚
功率耗散
310mW
直流电流增益, Hfe 最小值
80hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
晶体管极性
单个NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
100mA
基极输入电阻 R1
2.2kohm
基极-发射极电阻R2
4.7kohm
射频晶体管封装
SOT-323
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000013