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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NCP5104DR2G
库存编号2464232RL
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型隔离式
驱动配置半桥
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
驱动器封装类型SOIC
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流250mA
灌电流500mA
电源电压最小值10V
电源电压最大值20V
工作温度最小值-
工作温度最高值150°C
输入延迟85ns
输出延迟35ns
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The NCP5104DR2G is a high voltage Power Gate Driver providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs arranged in a half-bridge configuration. It uses the bootstrap technique to insure a proper drive of the high-side power switch.
- High and low drive outputs
- Up to VCC swing on input pins
- Extended allowable negative bridge pin voltage swing to -10V for signal propagation
- Matched propagation delays between both channels
- 1 Input with internal fixed dead time (520ns)
- Under VCC lockout (UVLO) for both channels
- Pin-to-Pin-compatible with industry standards
- Rugged and flexible design
- Robust design
- Low level input for micro-controller operation
- Up to 600V High voltage
- ±50V/ns dV/dt Immunity
- 250/500mA Output source/sink current capability
- 3.3 and 5V Input logic compatible
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
8引脚
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
500mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
150°C
输出延迟
35ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
MOSFET
驱动器封装类型
SOIC
芯片安装
表面安装
拉电流
250mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-
输入延迟
85ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0001