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NCP81075DR2G
MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 8.5V至20V电源, 4A输出, 20ns延迟, SOIC-8
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|---|---|
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| 10+ | CNY10.680 (CNY12.0684) |
| 100+ | CNY10.510 (CNY11.8763) |
| 500+ | CNY10.330 (CNY11.6729) |
| 2500+ | CNY10.150 (CNY11.4695) |
| 5000+ | CNY9.970 (CNY11.2661) |
| 7500+ | CNY9.790 (CNY11.0627) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NCP81075DR2G
库存编号2835625
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型隔离，非隔离
驱动配置高压侧和低压侧
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流4A
灌电流4A
电源电压最小值8.5V
电源电压最大值20V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值140°C
输入延迟20ns
输出延迟20ns
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
4A
电源电压最小值
8.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
20ns
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
栅极驱动器类型
隔离，非隔离
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
4A
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
140°C
输出延迟
20ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001