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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NCS4333DR2G
库存编号2677171
技术数据表
通道数4放大器
增益带宽积350kHz
典型压摆率0.15V/µs
电源电压范围1.8V 至 5.5V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数14引脚
放大器类型零漂移
轨至轨轨至轨输入/输出(RRIO)
输入偏移电压6µV
输入偏置电流60pA
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
产品范围-
合规AEC-Q100
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
放大器封装类型SOIC
汽车质量标准AEC-Q100
带宽350kHz
放大器数量4个放大器
摆率0.15V/µs
产品概述
NCS4333DR2G 是一款零漂移运算放大器,在 1.8V 至 5.5V 电源电压范围内,失调电压低至 10V。零漂移架构将偏移漂移降低到 0.07V/°C,可在时间和温度范围内进行高精度测量。该系列产品在宽动态范围内功耗低,采用节省空间的封装。这些特性使其非常适合便携式、工业、汽车、医疗和消费市场的信号调节电路。应用领域包括汽车、电池供电/便携式应用、传感器信号调节、低压电流检测、滤波电路、桥接电路和医疗仪器。
- 增益带宽积为 350KHz(典型值,CL = 100pF,VS = 1.8 至 5.5V,TA = +25°C,RL = 10kohm)
- 失调电压为 3.5µV(典型值,VS = +5V,VS = 1.8V 至 5.5V,TA = +25°C,RL = 10kohm)
- 共模抑制比为 123dB(典型值,VS = 5.0V,VS = 1.8 至 5.5V,TA = +25°C,RL = 10kohm)
- 开环输出阻抗为 300 ohm(典型值,f = UGBW,IO = 0mA,VS = 1.8 至 5.5V,TA = +25°C)
- 增益裕量为 18dB(典型值,CL = 100pF,VS = 1.8V 至 5.5V,TA = +25°C,RL = 10kohm)
- 压摆率为 0.15V/µs(典型值,G = +1,VS = 1.8V 至 5.5V,TA = +25°C,RL = 10kohm)
- 电源抑制比为 130dB(典型值,无负载,VS = 2.7V,TA = 25°C)
- 开启时间为 100µs(典型值,VS = 5V,VS = 1.8V 至 5.5V,TA = +25°C,RL = 10kohm)
- 静态电流为 17µA(典型值,1.8V ≤ VS ≤ 3.3VC,TA = +25°C,RL = 10kohm)
- SOIC-14 封装,工作温度范围为 -40 至 +125°C
技术规格
通道数
4放大器
典型压摆率
0.15V/µs
IC 外壳 / 封装
SOIC
放大器类型
零漂移
输入偏移电压
6µV
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
125°C
合规
AEC-Q100
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
汽车质量标准
AEC-Q100
放大器数量
4个放大器
增益带宽积
350kHz
电源电压范围
1.8V 至 5.5V
针脚数
14引脚
轨至轨
轨至轨输入/输出(RRIO)
输入偏置电流
60pA
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
放大器封装类型
SOIC
带宽
350kHz
摆率
0.15V/µs
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423390
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0001