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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NCV8403ASTT1G
库存编号2985493
技术数据表
通道类型N通道
通道数1放大器
栅极驱动器类型-
漏源电压, Vds46VDC
电流, Id 连续15A
驱动配置低压侧
电源开关类型MOSFET
漏源接通状态电阻0.053ohm
针脚数4引脚
晶体管封装类型SOT-223
IC 外壳 / 封装SOT-223
晶体管安装表面安装
芯片安装表面安装
Rds(on)测试电压10VDC
输入类型-
阈值栅源电压最大值1.7VDC
功率耗散1.56W
拉电流-
灌电流-
电源电压最小值-
电源电压最大值-
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值150°C
输入延迟-
输出延迟-
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The NCV8403ASTT1G is a self-protected Low Side Driver with temperature and current limit. The 3-terminal protected low-side smart discrete device features overcurrent, over-temperature, ESD and integrated drain-to-gate clamping for over-voltage protection.
- Short-circuit protection
- Thermal shutdown with automatic restart
- Over-voltage protection
- Integrated clamp for inductive switching
- ESD protected
- dV/dt robustness
- Analogue drive capability (logic level input)
技术规格
通道类型
N通道
栅极驱动器类型
-
电流, Id 连续
15A
电源开关类型
MOSFET
针脚数
4引脚
IC 外壳 / 封装
SOT-223
芯片安装
表面安装
输入类型
-
功率耗散
1.56W
灌电流
-
电源电压最大值
-
工作温度最高值
150°C
输出延迟
-
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
通道数
1放大器
漏源电压, Vds
46VDC
驱动配置
低压侧
漏源接通状态电阻
0.053ohm
晶体管封装类型
SOT-223
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10VDC
阈值栅源电压最大值
1.7VDC
拉电流
-
电源电压最小值
-
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
-
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000181