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NCV8412ASTT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 44 V, 3.9 A, 0.145 ohm, SOT-223, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NCV8412ASTT1G
库存编号3588856
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds44V
电流, Id 连续3.9A
漏源接通状态电阻0.145ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散2.2W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.9A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.2W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
44V
漏源接通状态电阻
0.145ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
4引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0034