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NDC7003P
双路场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NDC7003P
库存编号2454057RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds P沟道60V
电流, Id 连续340mA
连续漏极电流 Id N沟道340mA
在电阻RDS（上）1.2ohm
连续漏极电流 Id P沟道340mA
漏源通态电阻N沟道1.2ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道1.2ohm
阈值栅源电压最大值1.9V
晶体管封装类型SOT-23
功耗 Pd960mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道960mW
耗散功率P沟道960mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The NDC7003P is a PowerTrench® dual P-channel MOSFET produced using Trench technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage applications requiring a low current high side switch.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
340mA
连续漏极电流 Id P沟道
340mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
1.2ohm
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
960mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
340mA
在电阻RDS（上）
1.2ohm
漏源通态电阻N沟道
1.2ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.9V
功耗 Pd
960mW
耗散功率N沟道
960mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033