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NSBC114YDXV6T1G
晶体管 双极预偏置/数字, 双NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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| 100+ | CNY0.897 (CNY1.0136) |
| 500+ | CNY0.581 (CNY0.6565) |
| 4000+ | CNY0.413 (CNY0.4667) |
| 12000+ | CNY0.404 (CNY0.4565) |
| 32000+ | CNY0.395 (CNY0.4464) |
| 60000+ | CNY0.386 (CNY0.4362) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NSBC114YDXV6T1G
库存编号2724478
技术数据表
晶体管极性双NPN
数字晶体管极性双路 NPN
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极连续电流100mA
集电极发射极电压最大值 PNP-
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
基极-发射极电阻R247kohm
电阻比 R1/R20.21电阻比率
晶体管封装类型SOT-563
射频晶体管封装SOT-563
引脚数6引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散500mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益hFE最小值80hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
47kohm
晶体管封装类型
SOT-563
引脚数
6引脚
功率耗散
500mW
直流电流增益hFE最小值
80hFE
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
双路 NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
基极输入电阻 R1
10kohm
电阻比 R1/R2
0.21电阻比率
射频晶体管封装
SOT-563
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
NSBC114YDXV6T1G 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001