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NSS12100XV6T1G
单晶体管 双极, PNP, 12 V, 1 A, 500 mW, SOT-563, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 4000+ | CNY1.460 (CNY1.6498) |
| 12000+ | CNY1.280 (CNY1.4464) |
| 32000+ | CNY1.070 (CNY1.2091) |
| 60000+ | CNY0.947 (CNY1.0701) |
包装规格：单件（整卷供应）
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NSS12100XV6T1G
库存编号2442161
技术数据表
晶体管极性PNP
最大集电极发射电压12V
连续集电极电流1A
功率耗散500mW
晶体管封装类型SOT-563
晶体管安装表面安装
针脚数6引脚
过渡频率100MHz
直流电流增益, Hfe 最小值200hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The NSS12100XV6T1G is a 1A PNP bipolar Transistor designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.
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技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
1A
晶体管封装类型
SOT-563
针脚数
6引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
200hFE
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
12V
功率耗散
500mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
100MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001