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NSS20200LT1G
单晶体管 双极, PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NSS20200LT1G
库存编号2464089RL
技术数据表
晶体管极性PNP
最大集电极发射电压20V
连续集电极电流2A
功率耗散710mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率100MHz
直流电流增益, Hfe 最小值300hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The NSS20200LT1G is a 4A PNP Bipolar Transistor designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.
- ESD robust
- High current gain
- High cut-off frequency
- Low profile package
- Linear gain (Beta)
- Improved circuit efficiency
- Decreased battery charge time
- Reduce component count
- High frequency switching
- Smaller portable product
- No distortion
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
2A
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
300hFE
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
20V
功率耗散
710mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
100MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001