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NTA7002NT1G.
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 154mA, SC-75
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY1.590 (CNY1.7967) |
| 10+ | CNY0.815 (CNY0.921) |
| 100+ | CNY0.569 (CNY0.643) |
| 500+ | CNY0.554 (CNY0.626) |
| 1000+ | CNY0.315 (CNY0.356) |
| 5000+ | CNY0.255 (CNY0.2882) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTA7002NT1G.
库存编号1705744
技术数据表
通道类型N Channel
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续154mA
漏源接通状态电阻7ohm
晶体管封装类型SC-75
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散300mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)No SVHC (14-Jun-2023)
NTA7002NT1G. 的替代之选
找到 3 件产品
技术规格
通道类型
N Channel
电流, Id 连续
154mA
晶体管封装类型
SC-75
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (14-Jun-2023)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
7ohm
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
Compute Module 3+ Series
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000028