打印页面
NTB004N10G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 201 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
包装选项
1,136 有货
需要更多？
1136 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY53.770 (CNY60.7601) |
| 10+ | CNY34.210 (CNY38.6573) |
| 100+ | CNY33.200 (CNY37.516) |
| 500+ | CNY32.180 (CNY36.3634) |
| 800+ | CNY31.160 (CNY35.2108) |
| 1600+ | CNY30.140 (CNY34.0582) |
| 2400+ | CNY29.980 (CNY33.8774) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY53.77 (CNY60.76 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTB004N10G
库存编号3463998
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续201A
漏源接通状态电阻0.0034ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散340W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
201A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
340W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0034ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0034