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NTBGS2D5N06C
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 169 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY38.100 (CNY43.053) |
| 10+ | CNY32.460 (CNY36.6798) |
| 25+ | CNY32.140 (CNY36.3182) |
| 100+ | CNY26.580 (CNY30.0354) |
| 250+ | CNY26.250 (CNY29.6625) |
| 500+ | CNY24.880 (CNY28.1144) |
| 800+ | CNY22.200 (CNY25.086) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBGS2D5N06C
库存编号3677714
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续169A
漏源接通状态电阻0.002ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压12V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散136W
针脚数7引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2018)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
169A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
136W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.002ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
7引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001814