打印页面
NTD20P06LT4G
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 15.5 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTD20P06LT4G
库存编号2101428
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续15.5A
漏源接通状态电阻0.15ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散65W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
NTD20P06LT4G是一款-60V单P沟道功率MOSFET，设计用于桥式电路、电源和动力电机控制以及DC-DC转换。该MOSFET可在雪崩和换向模式下承受高能量。
- 低栅极电荷, 快速开关
- AEC-Q101合规
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
15.5A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
65W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.15ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
NTD20P06LT4G 的替代之选
找到 1 件产品
相关产品
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000462