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NTD2955T4G
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTD2955T4G
库存编号2317614
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续12A
漏源接通状态电阻0.18ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散55W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
NTD2955T4G是一款-60V P沟道功率MOSFET, 可承受雪崩和换向模式的高能量。设计用于低电压, 高速开关应用, 可用于电源, 转换器和动力电机控制等。该器件适用于桥式电路, 满足二极管速度和换向安全工作区的要求, 并针对意外电压瞬变提供额外的安全裕度。
- 雪崩能力
- IDSS和VDS (on)在高温下指定
- ±20V栅极-源极电压
- 2.73°C/W热阻 (结到外壳)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
55W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.18ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
4引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00033