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NTD3055-094T4G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTD3055-094T4G
库存编号1653676
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续12A
漏源接通状态电阻0.094ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.9V
功率耗散48W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
NTD3055-094T4G是一款N沟道功率MOSFET, 设计用于低电压, 高速开关应用, 适用于电源, 转换器, 电机控制, 桥接电路等应用。
- 低RDS (ON)
- 低VDS (ON)
- 低VSD
- 缩短二极管反向恢复时间
- 低反向恢复存储电荷
- 工作温度范围: -55到175°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
48W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.094ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.9V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454