打印页面
4,666 有货
2,500 您现在可以预订货品了
4666 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.750 (CNY9.8875) |
| 10+ | CNY6.400 (CNY7.232) |
| 100+ | CNY4.990 (CNY5.6387) |
| 500+ | CNY3.970 (CNY4.4861) |
| 1000+ | CNY3.300 (CNY3.729) |
| 5000+ | CNY3.240 (CNY3.6612) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
CNY8.75 (CNY9.89 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品概述
NTD3055L104T4G是一款N沟道功率MOSFET, 设计用于低电压, 高速开关应用, 适用于电源, 转换器, 电机控制, 桥接电路等应用。
- 低RDS (ON)
- 低VDS (ON)
- 低VSD
- 缩短二极管反向恢复时间
- 低反向恢复存储电荷
- 工作温度范围: -55至175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
48W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.104ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
NTD3055L104T4G 的替代之选
找到 5 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00033